
سامسونگ در ماه آینده برنامههای تراشههای یک و دو نانومتری را اعلام میکند
سامسونگ فاندری در دوازدهم ژوئن ۲۰۲۴ میلادی، مصادف با بیست و سوم خرداد ۱۴۰۳، مجمع سالانه انجمن سیف (SAFE ) خود را در سیلیکونوادی آمریکا برگزار خواهد کرد. انتظار میرود غول تکنولوژی کرهای در این رویداد، نقشه راه خود برای تولید انبوه پردازندههای یک نانومتری و دو نانومتری را فاش کند.
بر اساس گزارشی منتشرشده توسط بیزینس کوریا، سامسونگ تصمیم گرفته است زمانبندی تولید تراشههای یک نانومتری را یک سال پیش از برنامه قبلی آغاز کند. پیش از این پیشبینی میشد که تولید این تراشهها از سال ۲۰۲۷ آغاز شود، اما اکنون به نظر میرسد سامسونگ قصد دارد این فرآیند را از سال ۲۰۲۶ آغاز نماید.
سامسونگ در تلاش بوده تا در حوزه فابریکاسیون نیمهرساناها از رقیب اصلی خود یعنی تیاسامسی (TSMC) پیشی بگیرد، اما برنامههای این شرکت تا به امروز نتیجه مطلوبی نداده است. به دلیل مشکلات گرمایی و ناکارآمدی در پردازندههای چهار و پنج نانومتری، کوالکام برای تولید تراشههای خود به سراغ تیاسامسی روی آورده است.
سامسونگ با بهرهگیری از معماری ترانزیستور گیتالدور ( یا GAA) در فرآیند سه نانومتری، امیدوار بود مشکلات حرارتی و بازدهی را حل کند. این شرکت در سال ۲۰۲۲ تولید انبوه تراشههای سه نانومتری را آغاز کرد، اما به دلیل چالشهای مربوط به بازدهی، نتوانست مشتری بزرگتری برای پردازندههای خود جذب نماید.
تیاسامسی نیز از معماری ترانزیستور GAA در فرآیند دو نانومتری خود بهره میبرد. این شرکت تا با افزایش سهگانه ظرفیت تولید، همچنان قادر به پاسخگویی به تمام سفارشات تراشه مشتریان خود نیست.
انتظار میرود اکسینوس دبلیو ۱۰۰۰ اولین پردازنده باشد که با استفاده از فرآیند سه نانومتری سامسونگ فاندری تولید میشود. این تراشه به احتمال زیاد در ساعت هوشمند سامسونگ مدل گلکسی واچ ۷ به کار گرفته خواهد شد.